Szén-nanocső tranzisztorok jobban teljesítenek a szilíciumosoknál

Pekingi kutatók szén-nanocső alapú működő tranzisztorai jobb teljesítményt nyújtanak, mint a szilíciumból készültek. Ahelyett, hogy egyes óhajtott tulajdonságokkal rendelkező csöveket növesztettek volna, random módon szilíciumfelületre helyezték őket, majd a meglévő tulajdonságaikkal működő elektronikát adtak hozzájuk. Így vált lehetővé tranzisztorok építése, amelyeket aztán tesztelhettek.

Nagyon vékony grafénlemezekkel újfajta elektródát is fejlesztettek, amely parányi tranzisztorban a normális feszültségnek csak a felét használva is gyorsabban mozgatja az áramot, mint a szabvány kiegészítő fémoxidos félvezető tranzisztorok. Az új tranzisztor egy mindössze 70 femtomásodperc kapacitású kapunak köszönhető sokkal rövidebb kapcsolókésleltetés miatt volt gyorsabb.

A kutatók szerint munkájuk bizonyítja, hogy a szén-nanocsövekbe fektetett összegek eredményhez vezetnek, mert a szilícium valós alternatívái. Különösen akkor, ha tömegtermelési eljárást is kitalálnak hozzájuk.